N-Kanal MOSFETs


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N-Kanal-MOSFET
Typen
Schaltsymbol eines N-Kanal-MOSFET

N-Kanal-MOSFET

N-FET sperrt bei Gatespannung=0V Ein N-Kanal-MOSFET lässt sich grob mit einem npn-Transistor vergleichen, wenn man das Gate (G) als Basis, Drain (D) als Kollektor und Source (S) als Emitter betrachtet.

Der interne Widerstand der Drain-Source-Strecke wird mit der Spannung am Gate gesteuert. 

Ist die Spannung am Gate identisch mit der Spannung am Source, dann sperrt der Transistor. Zwischen Drain und Source kann (abgesehen von einem Leckstrom von einigen Mikroampere) kein Strom fließen.

++HINWEIS++
Eine Spannung von 0V am Gate bedeutet in der Praxis, dass Gate und Source galvanisch verbunden sind. Man kann nicht einfach in die Gate-Leitung einen Schalter einbauen, diesen dann öffnen, und glauben, dass da 0V am Gate anliegen. Vielmehr wäre das Gate dann vom Rest der Schaltung isoliert und würde weiterhin die alte Ladung tragen.
Wer solchen Problemen aus dem Wege gehen will, der sollte zwischen Gate und Source einen hochohmigen Widerstand (einige 10 kOhm) einsetzen. Der entlädt dann bei "offenem Schalter" das Gate auf 0-V-Pegel.

 

Legt man am Gate aber eine Spannung an, die 10 Volt höher ist als die Spannung am Source, dann leitet der Transistor, Drain und Source sind  nun verbunden. 

Auf der obersten Abbildung auf dieser Seite kann man erkennen, dass die Drain-Source-Strecke des MOSFET mit einer Diode überbrückt ist. Dabei handelt es sich um eine Schutzdiode, durch die es aber unmöglich ist, die Polarität der Spannung an Drain und Source zu vertauschen. Im normalen Betrieb liegt Drain immer an der positiveren Spannung (im Vergleich zu Source).

N-FET leitet bei Gatespannung=10V

MOSFETs werden für verschiedene Anwendungen entworfen, und haben dementsprechend gänzlich andere technische Parameter. Der Schalttransistor in einem Netzteil muss eine Spannung von mehr als 400V aushalten, hat es aber nur mit Strömen im einstelligen Ampere-Bereich zu tun.

Die Power-MOSFETs mit denen ich mich meistens beschäftige, sind dagegen auf höchste Ströme optimiert. Um 100A von Drain nach Source fließen zu lassen, ist es nötig, den Drain-Source-Widerstand so klein wie möglich zu machen. Werte unter 10 Milliohm sind heute typisch. Erreicht wird das dadurch, dass der MOSFET in Wirklichkeit aus einigen tausend kleinen MOSFETS besteht, die alle gemeinsam auf einem Chip sitzen und parallel geschaltet sind. So kleine Strukturen sind allerdings nicht sehr spannungsfest. Die maximale Drain-Source-Spannung beträgt je nach Typ 30V bis 60V.
 
Schaltverhalten eines normalen FET Während in einem npn-Transistor der Kollektor-Emitter-Strom mit dem Basisstrom gesteuert wird, wird in einem N-Kanal-MOSFET der Drain-Source-Widerstand mit der Gatespannung gesteuert.

Das nebenstehende Diagramm zeigt den Drain-Source-Stromfluss eines SUP75N06-08 bei maximaler Drain-Source-Spannung und steigender Gate-Source-Spannung.
Bis zu einer Gate-Spannung von 3V sperrt der FET komplett, danach wird er mit steigender Spannung immer besser leitend. Bei einer Gate-Spannung von 10V beträgt sein Innenwiderstand nur noch etwa 7 Milliohm.
 
 
 
 

 

Schaltverhalten eines LL-FET Nachteilig erscheint zunächst die hohe Ansteuerspannung von ca. 10V, es gibt aber spezielle Logic-Level-MOSFETS (LL), die schon bei einer Gate-Spannung von etwa 4..4,5V leitend sind. Solche FETs lassen sich also direkt mit TTL-Pegeln ansteuern. 

Nebenstehendes Diagramm zeigt den Drain-Source-Stromfluss eines SUP75N06-07L bei maximaler Drain-Source-Spannung und steigender Gate-Source-Spannung. 
Bis zu einer Gate-Spannung von 2V sperrt der FET komplett, danach wird er mit steigender Spannung immer besser leitend. Bei einer Gate-Spannung von 4,5V beträgt sein Innenwiderstand nur noch etwa 7 Milliohm. Bei 10V sinkt er auf 6 Milliohm.

Solche LL-FETs haben in der Regel eine geringere Spannungsfestigkeit, für Spannungen zwischen D und S. Viele LL-Typen vertragen nicht mehr als 30V.



Typen

Nachfolgend sind einige Typen aufgelistet, die auch für Bastler erhältlich sind. Der Großvater BUZ11 kennzeichnet das untere Ende der Power-FETs. Moderne Typen haben weitaus bessere Kennwerte. Die Liste kann natürlich nur einige Typen beispielhaft auflisten.

Typ
Spannung
Strom
Innenwiderstand
LL
Leistung
Tr+Tf
max. Temp
Gehäuse
BUZ11
50 V
30 A
30 mOhm
nein
75 W
200 ns
150 °C
TO-220
SUP75N06-08
60 V
75 A
8 mOhm
nein
250 W
115 ns
175°C
TO-220
SUP75N06-07L
60 V
75 A
8..6 mOhm
ja
250 W
65 ns
175°C
TO-220
IRL1004
40 V
75 A (130 A)
9..7 mOhm
ja
200 W
224 ns
175°C
TO-220
IRL3705N
55 V
75 A (89 A)
18..10 mOhm
ja
170 W
218 ns
175°C
TO-220
IRL3803
30 V
75 (140 A)
9..6 mOhm
ja
200 W
265 ns
175°C
TO-220
SMP60N03-10L
30V
60 A
10..7 mOhm
ja
105 W
70 ns
150°C
TO-220

Ein IRL3803 kostet bei Nessel -Elektronik geradeeinmal 1,40 € (und ein BUZ11 nur 0,60 €). Solche Bauteile sind also kein Luxus.
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Autor: sprut
erstellt: 07.07.2003
bearbeitet:16.12.2009